[发明专利]半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法有效
申请号: | 201010515572.5 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102044451A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 藤岛敦;原田晴彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法。可靠地去除形成在引线表面之上(或附着于引线表面)的异物。将激光束施加到形成在由密封体(第一密封体)、从密封体露出(突出)的引线和堤坝杆围绕的区域中(或附着于其)的残留树脂(密封体)。可以通过在去除残留树脂之后清洗引线表面来可靠地去除形成在引线表面之上(或附着于引线表面)的异物。因此,在后续的镀敷步骤中,可以改善要在引线表面之上形成的镀敷膜的可靠性(可润湿性、与引线的粘附性)。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】:
一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)提供半导体封装体,该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体;(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分;(c)在步骤(b)之后,用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分;(d)在步骤(c)之后,清洗每个引线的表面;和(e)在步骤(d)之后,在每个引线的表面上形成镀敷膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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