[发明专利]二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法无效
申请号: | 201010515888.4 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102453046A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 张粉平 | 申请(专利权)人: | 张粉平 |
主分类号: | C07F7/18 | 分类号: | C07F7/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225500 江苏省姜*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法。所述制备方法为两步滴加合成法,即先酰化,后酯化。所述酰化反应是向釜内醋酐缓慢滴加四氯化硅,在一定温度条件下反应,反应过程中生成的铁离子不利于产品质量,通过从釜底放出一部分醋酐的方法减少釜内铁离子含量,然后再加温蒸出副产品乙酰氯,釜内剩下的是中间产品四乙酰氧基硅烷。所述酯化反应是向釜内中间产品缓慢滴加叔丁醇,经一定温度和时间的反应,在真空条件下蒸出副产品乙酸,剩下是二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷。该制备方法工艺操作容易,目的物收率和纯度高,生产成本相对较低。二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷是一种生产脱酸型有机硅密封胶的室温固化交联剂。 | ||
搜索关键词: | 二叔丁氧基二 乙酰 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法,其特征在于:所述制备方法为两步滴加合成法,即先酰化,后酯化;反应方程式为:SiCl4+4(CH3CO)2O→(CH3COO)4Si+4CH3COCL (1)(CH3COO)4Si+2(CH3)3COH→[(CH3)3CO]2Si(CH3COO)2+2CH3COOH (2)(1)酰化反应条件是:反应温度:25~45(℃)滴加时间:2~3(hr)投料比:四氯化硅∶醋酐=1∶(4.5~4.6)(mol)平衡时间:3~4(hr)脱低温度:45~70(℃);(2)酯化反应条件是:投料比:四氯化硅∶叔丁醇=1∶(2.1~2.2)(mol)反应温度:25~40(℃)反应时间:3~4(hr)脱低温度:45~110(℃)冷却温度:<45℃真空度:≥650~700(mmHg)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张粉平,未经张粉平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010515888.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防护节能高压锅
- 下一篇:一种能提高收率的烯类单体合成工艺