[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010518060.4 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102222610A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 于雄飞;李威养;李达元;许光源;邱远鸿;陶宏远;于洪宇;吴灵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基板。于半导体基板上形成一第一高介电常数介电层。对第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺。在一实施例中，上述处理工艺可包括于氧气及/或在臭氧环境下的紫外线辐射工艺。于处理后第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层。以及对第二高介电常数介电层进行一第二处理工艺。在一实施例中，上述高介电常数介电层形成一场效应晶体管的一栅极介电层。本发明的优点包括增强减少半导体装置的等效氧化层厚度(EOT)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上形成一第一高介电常数介电层；对该第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺，因而形成一处理后第一高介电常数介电层；于该处理后第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层；以及对该第二高介电常数介电层进行一第二处理工艺，因而形成一处理后第二高介电常数介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
