[发明专利]基于绝缘体上硅的双极结型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010518397.5 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101986433A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，包括：SOI衬底，所述SOI衬底进一步包括硅基衬底以及形成在所述硅基衬底上的氧化物埋层；浅沟槽隔离，形成在所述SOI衬底内；有源区，由所述浅沟槽隔离在所述SOI衬底内定义，且所述有源区位于浅沟槽隔离之间区域；集电区，形成在所述有源区内；基区，形成在所述集电区上，并位于所述有源区表面；介质层，间隔分布在所述有源区表面；发射区，形成在所述介质层上。本发明通过在有源区的表面淀积间隔分布的介质层，且所述介质层之间具有一定的间隔，便使得形成在所述介质层上的发射区具有相同的发射区宽度，满足基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的一致性和再现性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于，所述基于绝缘体上硅的双极结型晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底进一步包括硅基衬底以及形成在所述硅基衬底上的氧化物埋层；浅沟槽隔离，形成在所述SOI衬底内；有源区，由所述浅沟槽隔离在所述SOI衬底内定义，且所述有源区位于浅沟槽隔离之间区域；集电区，具有第一导电性离子，并形成在所述有源区内；基区，具有第二导电性离子，并形成在所述集电区上，且位于所述有源区表面；介质层，间隔分布在所述有源区表面；发射区，具有第一导电性离子，并形成在所述介质层上。
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