[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010518627.8 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102456606A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 雷强;沈亮;高喜峰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底；依次刻蚀所述刻蚀停止层、衬垫氧化层，直至暴露衬底，形成开口；在位于开口两侧的衬底内形成扩散氧化层，所述扩散氧化层与所述衬垫氧化层相邻，且所述开口的侧边的延长线经过所述扩散氧化层刻蚀所述开口对应区域，形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成介质保护层；形成覆盖所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的隔离介质层；对所述隔离介质层进行平坦化处理直至暴露所述刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层和所述衬垫氧化层。利用本发明所提供的浅沟槽隔离结构形成方法可以有效避免晶体管的双峰效应和反窄沟道效应，改善半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底；依次刻蚀所述刻蚀停止层、衬垫氧化层，直至暴露衬底，形成开口；对所述开口暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层，所述扩散氧化层沿暴露出来的衬底向四周扩散；刻蚀所述开口对应区域，形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成介质保护层；形成覆盖所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的隔离介质层；对所述隔离介质层进行平坦化处理直至暴露所述刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层和所述衬垫氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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