[发明专利]存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010521341.5 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102044546A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏;黄守伟;陈盈佐;林佑聪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/02;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：基板；多条位线，相互平行地设置于该基板中；多条字线，相互平行地设置于该基板上，并与该些位线不垂直交错；以及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构，设置于该些字线及该基板之间，并具有两个位储存节，该些字线与该些位线的不垂直交错的配置用以提高该些位储存节的储存空间，以增加所储存的电子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
