[发明专利]制造集成电路装置的方法有效
| 申请号： | 201010522906.1 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102290374A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡明桓;郑振辉;欧阳晖;邱远鸿;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾300新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造集成电路(IC)装置的方法。以上所揭露的方法在IC装置的表面接近量(Surface Proximity)以及顶端深度(Tip Depth)上提供受到改善的控制。在一实施例中，上述方法是利用，于IC装置的源极区与漏极区之中形成掺杂区及轻掺杂源极与漏极(Lightly Doped Source and Drain；LDD)区，来达成受到改善的控制。掺杂区是以相对于LDD区的掺质型态来进行植入。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路装置的方法，其特征在于，包含：提供一半导体基材；形成一栅极结构于该半导体基材之上；以一第一掺质于该半导体基材之上执行一第一植入工艺，进而在该半导体基材中形成一轻掺杂源极与漏极区，其中该栅极结构是插入于该轻掺杂源极与漏极区中；以一第二掺质于该半导体基材之上执行一第二植入工艺，进而在该半导体基材中形成一掺杂区，其中该第二掺质相对于该第一掺质，该栅极结构插入于该掺杂区中；形成该栅极结构的多个间隙壁；以及在该栅极结构的二侧形成多个源极特征与漏极特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
