[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010524178.8 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102064153A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李圭夏;尹玟升;李宜珩;崔朱逸;金南锡;马金希 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L25/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基底，具有第一表面和背对第一表面的第二表面；插塞，穿过基底，所述插塞包括通过第一表面暴露的第一连接部分和通过第二表面暴露的第二连接部分；第一绝缘层，形成在第二表面上；第二绝缘层，形成在基底中的插塞的外表面和第二连接部分上。
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