[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201010525797.9 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082175A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;叶致锴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一集成电路结构，包括一基板以及一鳍式场效应晶体管。该鳍式场效应晶体管包括一鳍，于该基板上，且具有一第一鳍部分与一第二鳍部分。一栅极堆叠，形成于该第一鳍部分的一上表面与侧壁上。一外延半导体层，具有一第一部分，直接形成于该第二鳍部分上，以及一第二部分，形成于该第二鳍部分的侧壁上。一金属硅化物层，形成于该外延半导体层上。该鳍式场效应晶体管的一有效金属硅化物周边的一总长度对该鳍式场效应晶体管的一鳍周边的一总长度的一周边比大于1。本发明可降低有效金属硅化物周边的电流壅塞，并可增加金属硅化物层与结之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一基板；以及一鳍式场效应晶体管，包括：一鳍，于该基板上，包括一第一鳍部分与一第二鳍部分；一栅极堆叠，于该第一鳍部分的一上表面与侧壁上；一外延半导体层，包括一第一部分，直接于该第二鳍部分上，以及一第二部分，于该第二鳍部分的侧壁上；以及一金属硅化物层，于该外延半导体层上，其中该鳍式场效应晶体管的一有效金属硅化物周边的一总长度对该鳍式场效应晶体管的一鳍周边的一总长度的一周边比大于1。
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