[发明专利]去边宽度检测方法及装置无效
| 申请号： | 201010528136.1 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102456594A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;陈刚;钱志浩;张贤识 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种去边宽度检测方法及装置。所述方法包括：利用叠对量测仪器对晶片进行初始坐标定位；从初始坐标引出射线分别与晶片去边边缘和晶片物理边缘相交，得到晶片物理边缘上第一点和晶片去边边缘上的第二点；获取晶片物理边缘上第一点的坐标，将该坐标记为第一坐标；获取晶片去边边缘上第二点的坐标，将该坐标记为第二坐标；根据所述第一坐标和第二坐标，计算得到晶片的去边宽度。根据本发明所提供的方法计算出的去边宽度，相比传统方法得到的结果要准确，且满足去边宽度的精度要求；而且，本发明所采用的叠对量测仪器成本较低，适合于各企业使用，因此，使用范围不受限制。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：利用叠对量测仪器对晶片进行初始坐标定位；从初始坐标引出射线分别与晶片去边边缘和晶片物理边缘相交，得到晶片物理边缘上第一点和晶片去边边缘上第二点；获取晶片物理边缘上第一点的坐标，将该坐标记为第一坐标；获取晶片去边边缘上第二点的坐标，将该坐标记为第二坐标；根据所述第一坐标和第二坐标，计算得到晶片的去边宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
