[发明专利]太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法有效
| 申请号： | 201010528342.2 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102452652B | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 史珺;程素玲 | 申请（专利权）人： | 上海普罗新能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201300 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法，包括步骤：1)采用酸洗的方法，去除硅颗粒表面氧化层和晶界上的金属杂质，然后水洗，干燥；2)干燥后的硅颗粒中加入纳米级二氧化硅粉，混合后压片；3)将压片后的混合物在真空下进行加热保温。本发明无需将硅熔化，能耗低，并且操作容易。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 能级 多晶 制备 中的 真空 固态 挥发 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法，包括步骤：1）采用酸洗的方法，去除硅颗粒表面氧化层和晶界上的金属杂质，然后水洗，干燥；2）干燥后的硅颗粒中加入纳米级二氧化硅粉，混合后压片；3）将压片后的混合物在真空下进行加热保温，所述加热温度为800～1100℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海普罗新能源有限公司，未经上海普罗新能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010528342.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于转换燃料物质的系统
- 下一篇：一种功率自动锁定的方法、装置及系统
