[发明专利]光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201010529727.0 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102455596A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 宋勇志;郝昭慧;王煦;罗会月;王树民 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;H01L21/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法，涉及微电子技术领域，为有效优化剥离效果而发明。所述离地剥离的方法，包括：对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理，其中，所述光刻胶中掺杂有发泡剂，所述发泡处理使所述光刻胶中掺杂的发泡剂放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离，在所述基板上形成需要的图形。本发明可用于半导体器件以及TFT阵列基板等制作工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 剥离 方法 tft 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶，其特征在于，所述光刻胶中包括有发泡剂，所述发泡剂用于当对所述光刻胶进行发泡处理时放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构。
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