[发明专利]射频噪声去嵌入方法

摘要

本发明公开了一种射频噪声去嵌入方法，包括步骤：在硅片上形成被测试器件结构、开路去嵌测试结构、直通去嵌测试结构；分别测试得到被测试器件结构、开路去嵌测试结构以及直通去嵌测试结构的散射参数，测试得到被测试器件结构的噪声参数；利用各散射参数以及被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到射频器件的噪声参数。其中是通过直通去嵌测试结构的信号间金属线的散射参数计算得到纯金属线的归一化特征阻抗和传播常数后再计算出被测试器件结构的输入端金属线或输出端金属线的ABCD参数。本发明方法能大大减少硅片上直通去嵌测试结构的数量、节省硅片面积、减少测试时间、大大降低成本。

主权项

一种射频噪声去嵌入方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片上形成一被测试器件结构、一开路去嵌测试结构、一直通去嵌测试结构；所述被测试器件结构包括一射频器件、一信号输入压焊块、一信号输出压焊块、四个接地压焊块，所述信号输入压焊块和所述射频器件的输入端通过金属线一相连，所述信号输出压焊块和所述射频器件的输出端通过金属线二相连，四个所述接地压焊块通过金属线三互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列；所述开路去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件、所述金属线一以及所述金属线二；所述直通去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件，且所述信号输入压焊块和所述信号输出压焊块之间通过金属线四相连、所述直线二上的两个所述接地压焊块通过金属线五相连、所述直线三上的两个所述接地压焊块通过金属线六相连、所述直线二上的所述接地压焊块和所述直线三上的所述接地压焊块不连接；所述金属线四的宽度为所述金属线一或所述金属线二的宽度的0.8倍～1.2倍；步骤二、分别测试得到所述被测试器件结构的散射参数一、所述开路去嵌测试结构的散射参数二、所述直通去嵌测试结构的散射参数三、所述被测试器件结构的噪声参数；所述被测试器件结构的噪声参数包括最佳噪声系数一、最佳源阻抗一、等效输入阻抗一；步骤三、利用所述散射参数一、所述散射参数二、所述散射参数三以及所述被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到所述射频器件的噪声参数，所述射频器件的噪声参数包括最佳噪声系数二、最佳源阻抗二、等效输入阻抗二。