[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010533970.X | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102054874A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈昶亘 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括一基板、一半导体层、一图案化掺杂半导体层、一源极与一漏极、一栅绝缘层以及一栅极。半导体层配置于基板上。图案化掺杂半导体层配置于半导体层的相对两侧上方。源极与漏极配置于图案化掺杂半导体层上且位于半导体层的相对两侧上方，其中被源极与漏极覆盖的部分半导体层具有一第一厚度，以及位于源极与漏极之间且未被源极与漏极覆盖的部分半导体层具有一第二厚度，第二厚度介于200埃至800埃。栅绝缘层配置于源极与漏极以及部分半导体层上。栅极配置于栅绝缘层上。在本发明的薄膜晶体管可使得薄膜晶体管具有较佳的元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一半导体层，配置于该基板上；一图案化掺杂半导体层，配置于该半导体层的相对两侧上方；一源极与一漏极，配置于该图案化掺杂半导体层上且位于该半导体层的相对两侧上方，其中被该源极与该漏极覆盖的部分该半导体层具有一第一厚度，以及位于该源极与该漏极之间且未被该源极与该漏极覆盖的部分该半导体层具有一第二厚度，该第二厚度介于200埃至800埃；一栅绝缘层，配置于该源极与该漏极以及部分该半导体层上；以及一栅极，配置于该栅绝缘层上。
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