[发明专利]一种改善NFET性能的应力层的形成方法无效
| 申请号： | 201010534160.6 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468170A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张彬;任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善NFET性能的应力层的形成方法，包括以下步骤：提供包含NFET的衬底；在所述NFET表面形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行氮化处理，以形成隔绝层；在所述隔绝层表面形成应力层。综上所述，本发明在含有NFET的衬底上形成氧化硅层后，对氧化硅层进行氮化处理，以形成隔绝层。所述隔绝层能够阻隔在后续形成的应力层中的氢进入有源区，从而避免氢与硼发生反应，减小了硼钝化和扩散的流失，从而有效改善NFET阈值电压，提高NFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 nfet 性能 应力 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包含NFET的衬底；在所述NFET表面形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行氮化处理，以形成隔绝层；在所述隔绝层表面形成应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
