[发明专利]一种改善应力层应力作用的方法无效
| 申请号： | 201010534190.7 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468171A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 荆学珍;向阳辉;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善应力层应力作用的方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底正面形成有栅极、栅极侧壁隔离层，在所述衬底的背面同时形成有沉积氮化硅层；对所述栅极进行掺杂离子注入工艺；在所述衬底正面上淀积形成氧化硅层；去除位于所述衬底背面的沉积氮化硅层；在所述氧化硅层表面形成应力层；进行高温退火工艺。综上所述，本发明在衬底正面形成氧化硅层后，浸泡去除衬底背面的沉积氮化层，再沉积应力层并进行高温退火，从而防止沉积氮化层削弱应力层的应力作用，从而改善应力层的应力记忆作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 应力 作用 方法 | ||
【主权项】：
一种改善应力层应力作用的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底正面形成有栅极、栅极侧壁隔离层，在所述衬底的背面形成有沉积氮化硅层；对所述栅极进行掺杂离子注入工艺；在所述衬底正面上淀积形成氧化硅层；去除位于所述衬底背面的沉积氮化硅层；在所述氧化硅层表面形成应力层；进行高温退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
