[发明专利]半导体裸片及形成导电元件的方法有效
| 申请号： | 201010534192.6 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102222647B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;吴逸文;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 姜燕,陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体裸片，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，形成于基底和接合垫上方，聚酰亚胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于聚酰亚胺层上，硅基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口的侧壁上方，且接触接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。本发明各实施例可用来改进传统焊锡凸块工艺的缺点；在各实施例中，硅基保护层保护聚酰亚胺层，防止其受到后续等离子体清洁工艺的损伤；聚酰亚胺层中开口的宽度与硅基保护层中开口的宽度相对于接合垫的宽度的比例的适当范围可改进构件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 导电 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体裸片，包括：一基底；一接合垫，位于该基底上方，该接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，位于该基底和该接合垫上方，该聚酰亚胺层于该接合垫上方具有一第一开口，该第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于该聚酰亚胺层上，该硅基保护层于该接合垫上方具有一第二开口，该第二开口有一第三宽度，其中该第一开口和该第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分该接合垫；一凸块下金属化层，位于该组合开口的侧壁上方，且位于该硅基保护层上，且接触该接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于该凸块下金属化层上，其中该硅基保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳化硅，其中该第三宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6，且该第二宽度小于该第三宽度。
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