[发明专利]集成电路结构与其形成方法无效
| 申请号： | 201010537288.8 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102263083A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黄震麟;杨景峰;陈启平;陈殿豪;米玉杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路结构及其形成方法，以在集成电路中提供内连线所需的绝缘结构。本发明一实施例的集成电路结构含有基板，其上具有两个相邻的内连线结构。盖层对准并形成于每一内连线结构上。侧壁物形成于每一内连线结构的相对两侧上，且气隙形成于内连线结构之间。介电层位于基板上以覆盖盖层与气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，其特征在于，包括：两个金属内连线，位于一半导体基板上；多个金属盖层，直接形成于每一该些金属内连线上；多个介电侧壁物，位于每一该些金属内连线的侧壁上，且多个气隙分别位于该些介电侧壁物之间；多个衬垫间隔物，每一该些衬垫间隔物分别位于每一该些介电侧壁物之上，并横向接触该些金属盖层之一；以及一介电层，位于该半导体基板上，以覆盖该些金属盖层与该气隙。
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