[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明实现一种能在不使导通电阻增大的情况下使高耐压化实现的半导体装置。在P型半导体衬底(1)内具备：P型体区(3)、相对于P型体区(3)在与衬底面平行的方向上离开形成的N型漂移区(5)、形成于N型漂移区内的由场氧化膜(11)分离的区域的比N型漂移区(5)浓度高的N型漏极区(8)、以及形成于P型体区(3)内的比N型漂移区(5)浓度高的N型源极区(6)。而且，以与P型体区(3)的一部分底面离散地连结并且分别在与衬底面平行的方向延伸、各前端达到漂移区(5)内的方式，形成有比N型漂移区(5)浓度高的P型埋入扩散区(4)。

主权项

一种半导体装置，其中，具备：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底内；第二导电类型的漂移区，在所述半导体衬底内，在与所述半导体衬底的衬底面平行的方向上离开所述体区而形成；所述第二导电类型的漏极区，形成于所述漂移区内，比该漂移区浓度高；所述第二导电类型的源极区，形成于所述体区内，比所述漂移区浓度高；所述第一导电类型的埋入扩散区，其以下述方式形成：与所述体区的底面连结，并且具有从所述体区起在作为所述漂移区与所述体区的离开方向的第一方向上延伸的多个突出部，所述突出部的各前端达到所述漂移区内；栅极氧化膜，共同重叠于所述体区的一部分及所述漂移区的一部分上而形成；以及栅电极，形成于所述栅极氧化膜的上层。