[发明专利]像素结构

摘要

本发明公开一种像素结构，其包括扫描线、数据线、主动元件、像素电极、电容电极线、半导体图案层以及至少一介电层。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。电容电极线位于像素电极的下方，电容电极线与像素电极构成具有第一储存电容值的第一储存电容器。半导体图案层位于电容电极线与像素电极之间，像素电极与半导体图案层电性连接，半导体图案层与电容电极线构成具有第二储存电容值的第二储存电容器。介电层位于电容电极线与像素电极之间且位于半导体图案层与电容电极线之间。特别是，第一储存电容值与第二储存电容值的加总为一总储存电容值，且第二储存电容值占总储存电容值的30％～80％。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线以及一数据线；一主动元件，其与该扫描线以及该数据线电性连接；一像素电极，其与该主动元件电性连接；一电容电极线，位于该像素电极的下方，其中该电容电极线与该像素电极构成一第一储存电容器，且该第一储存电容器具有一第一储存电容值；一半导体图案层，位于该电容电极线与该像素电极之间，其中该像素电极与该半导体图案层电性连接，该半导体图案层与该电容电极线构成一第二储存电容器，且该第二储存电容器具有一第二储存电容值；以及至少一介电层，位于该电容电极线与该像素电极之间，且位于该半导体图案层与该电容电极线之间，其中该第一储存电容值与该第二储存电容值的加总为一总储存电容值，且该第二储存电容值占该总储存电容值的30％～80％。