[发明专利]三氯硅烷合成装置及方法无效
| 申请号： | 201010542134.8 | 申请日： | 2010-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102001667A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李海军;吴卫星;浦全富;刘军;陈艳梅;潘伦桃;陈文明;吕建波;杨君 | 申请（专利权）人： | 宁夏阳光硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 叶学军 |
| 地址： | 753202 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三氯硅烷合成装置，具体的，涉及一种包括氯化氢气体供气管道（18）、氯化氢气体缓冲室（17）、氯化氢气体分配板（50）、氯化氢与硅粉反应的反应室（11）、硅粉加料口（14）、硅粉和气体进行分离的气-固分离室（12）及反应气体取出口（13）的三氯硅烷合成装置（10），其中反应室（11）里，硅粉加料口（14）下方有硅粉分配器（40）和在气-固分离室（12）里有硅粉阻挡器（60），在气固分离室顶部有吹气管（32）的三氯硅烷合成装置。本发明还涉及一种三氯硅烷的合成方法。按照本发明，使硅粉均匀地分散在硅粉分配器下方的整个反应室里，硅粉与氯化氢气体接触良好；使上升到气-固分离室里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器（60）上，并被载气吹送到反应室里与氯化氢气体反应，因此，三氯硅烷转化率高，节约能源，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 合成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种三氯硅烷合成装置，包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气‑固分离室及反应气体取出口，其特征在于在硅粉的加料口下方设有硅粉分配器，在气‑固分离室设有硅粉阻挡器，在气‑固分离室顶部设有吹气管。
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