[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010546052.0 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468211A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李亮;何永根;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，位于中心区域与位于边缘区域的所述衬垫氧化层具有厚度差；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；形成位于衬底内且贯穿所述刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；平坦化所述介质层直至暴露出刻蚀停止层。本发明形成的浅沟槽具有位于中心区域与位于边缘区域的浅沟槽高度差小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，位于中心区域与位于边缘区域的所述衬垫氧化层具有厚度差；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；形成位于衬底内且贯穿所述刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；平坦化所述介质层直至暴露出刻蚀停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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