[发明专利]发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统有效
| 申请号： | 201010546631.5 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102163653A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金鲜京 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/48;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法、以及照明系统。发光器件包括：第一光提取结构，该第一光提取结构包括反射层和图案；第一光提取结构上的欧姆层；欧姆层上的第二导电类型半导体层；第二导电类型半导体层上的有源层；以及有源层上的第一导电类型半导体层，其中图案的折射率高于空气的折射率并且低于第二导电类型半导体层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 制造 方法 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一光提取结构，所述第一光提取结构包括反射层和图案；所述第一光提取结构上的欧姆层；所述欧姆层上的第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的有源层；以及所述有源层上的第一导电类型半导体层，其中所述图案的折射率高于空气的折射率并且低于所述第二导电类型半导体层的折射率。
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