[发明专利]具有加性等待时间的半导体器件无效
| 申请号： | 201010549883.3 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102157200A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金梁基;崔桢焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件接收与存储器存取操作对应的命令并且在加性等待时间期间之后执行该存储器存取操作。该加性等待时间期间在接收命令时开始。该半导体器件包括：相位控制器，用于控制时钟信号的相位并输出相控时钟信号；以及控制器，用于产生并输出用于在加性等待时间期间中的预定时间使能被禁止的相位控制器的控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 有加 等待时间 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其接收命令并且在当接收命令时开始的加性等待时间期间的结束处执行对应的存储器存取操作，该半导体器件包括：相位控制器，其控制时钟信号的相位以产生相控时钟信号；以及控制器，其产生具有第一逻辑状态的控制信号以便在加性等待时间期间中的预定时间将相位控制器从禁止状态改变为使能状态。
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