[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010550488.7 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097300A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 府玠辰;欧英德 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体基板的制造方法及半导体结构的制造方法。半导体基板的制造方法包括以下步骤。首先，提供基材，基材具有第一贯孔及相对的第一面与第二面。然后，压合介电结构于基材上，其中介电结构形成于第一面、第二面及第一贯孔内。然后，形成第二贯孔贯穿介电结构中位于第一贯孔上的部分。然后，形成导电材料于第二贯孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体基板的制造方法，包括：提供一基材，该基材具有一第一贯孔及相对的一第一面与一第二面；压合一介电结构于该基材上，其中该介电结构包括一第一子介电结构、一第二子介电结构及一贯孔介电结构，该第一子介电结构形成于该第一面、该第二子介电结构形成于该第二面且该贯孔介电结构形成于该第一贯孔内；形成一第二贯孔至少贯穿该贯孔介电结构；以及形成一导电材料于该第二贯孔内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010550488.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
