[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201010551954.3 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102097310A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 星野仁志;能丸圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光器件晶片的加工方法,能够在不到达光器件层的范围内容易地形成变质层,并能使器件厚度形成为预定厚度。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件,其中光器件晶片构成为在基板表面层叠有光器件层、在通过间隔道划分出的多个区域中形成了光器件,该加工方法包括:保护部件粘贴工序,在光器件晶片表面粘贴保护部件;变质层形成工序,将聚光点定位于基板内部从基板背面侧沿间隔道照射激光光线,以在基板内部在比光器件层靠背面侧位置沿间隔道形成变质层;背面磨削工序,对基板背面进行磨削以形成为预定厚度;和晶片断裂工序,对光器件晶片施加外力使光器件晶片沿形成有变质层的间隔道断裂从而分割成一个个光器件。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法,其中所述光器件晶片构成为在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成了光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,该光器件晶片的加工方法包括以下工序:保护部件粘贴工序,在该保护部件粘贴工序中,在光器件晶片的表面粘贴保护部件;变质层形成工序,在该变质层形成工序中,将聚光点定位于光器件晶片的基板的内部,从光器件晶片的基板的背面侧沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有透射性的波长的激光光线,从而在基板的内部在比光器件层靠背面侧的位置沿间隔道形成变质层;背面磨削工序,在该背面磨削工序中,对实施了所述变质层形成工序的光器件晶片的基板的背面进行磨削,使光器件晶片形成为预定的厚度;以及晶片断裂工序,在该晶片断裂工序中,对实施了背面磨削工序的光器件晶片施加外力,使光器件晶片沿着形成有变质层的间隔道断裂,从而将光器件晶片分割成一个个光器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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