[发明专利]光伏装置及薄膜太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201010552495.0 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102299197A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 涂志强;陈俊郎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开光伏装置及薄膜太阳能电池的制备方法。本光伏装置的制造方法包括利用纳米压印(nanoimprint)技术定义光伏装置的各个电池单元,以制备光伏电池。本方法可包括提供一基板;在基板上形成第一导电层;以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层中形成第一凹槽;在第一导电层上形成吸收层,该吸收层填入第一凹槽中;以纳米压印工艺在吸收层中形成第二凹槽;在吸收层上形成第二导电层,该第二导电层填入第二凹槽中;在第二导电层及吸收层中形成第三凹槽,从而定义光伏电池单元。本发明的纳米压印提供高准确图案化,光伏电池中对位可因而提升。再者,纳米压印技术与传统制造方法相反,可轻易的进行传统的卷轴式制造工艺,而简化光伏装置的制造,并降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 装置 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏装置的制造方法,包括:提供一基板;在该基板上形成一第一导电层;利用一纳米压印及蚀刻工艺,在该第一导电层中形成第一凹槽;在该第一导电层上形成一吸收层,该吸收层填入该第一凹槽中;利用一纳米压印工艺在该吸收层中形成第二凹槽;在该吸收层上形成一第二导电层,该第二导电层填入该第二凹槽中;以及在该第二导电层及该吸收层中形成第三凹槽,借以定义一光伏电池单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的