[发明专利]光伏装置及薄膜太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010552495.0 申请日: 2010-11-17
公开(公告)号: CN102299197A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 涂志强;陈俊郎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开光伏装置及薄膜太阳能电池的制备方法。本光伏装置的制造方法包括利用纳米压印(nanoimprint)技术定义光伏装置的各个电池单元,以制备光伏电池。本方法可包括提供一基板;在基板上形成第一导电层;以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层中形成第一凹槽;在第一导电层上形成吸收层,该吸收层填入第一凹槽中;以纳米压印工艺在吸收层中形成第二凹槽;在吸收层上形成第二导电层,该第二导电层填入第二凹槽中;在第二导电层及吸收层中形成第三凹槽,从而定义光伏电池单元。本发明的纳米压印提供高准确图案化,光伏电池中对位可因而提升。再者,纳米压印技术与传统制造方法相反,可轻易的进行传统的卷轴式制造工艺,而简化光伏装置的制造,并降低制造成本。
搜索关键词: 装置 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种光伏装置的制造方法,包括:提供一基板;在该基板上形成一第一导电层;利用一纳米压印及蚀刻工艺,在该第一导电层中形成第一凹槽;在该第一导电层上形成一吸收层,该吸收层填入该第一凹槽中;利用一纳米压印工艺在该吸收层中形成第二凹槽;在该吸收层上形成一第二导电层,该第二导电层填入该第二凹槽中;以及在该第二导电层及该吸收层中形成第三凹槽,借以定义一光伏电池单元。
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