[发明专利]一种形成P型重掺杂的方法无效
| 申请号： | 201010554524.7 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102468381A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 上海黄浦区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成P型重掺杂的方法，包括以下步骤：步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中使用外延生长方式生长半导体发光材料；步骤②，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成P型结构层；步骤③，停止LED发光晶体外延片制作步骤，进入LED芯片制作步骤；步骤④，在LED制作步骤中，通过注入或是掺杂方式，在所述的P型结构层外表面构成P型重掺杂。在外延生长P型重掺杂之前，停止外延生长，完成外延生长过程。通过注入或是掺杂方式，构成P型重掺杂。由此，通过改变P型重掺杂的生长方式，提高P型重掺杂的激活效率，降低P型GaN的欧姆接触电阻，从而提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中使用外延生长方式生长半导体发光材料；步骤②，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成P型结构层；步骤③，停止LED发光晶体外延片制作步骤，进入LED芯片制作步骤；步骤④，在LED制作步骤中，通过注入或是掺杂方式，在所述的P型结构层外表面构成P型重掺杂。
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