[发明专利]影像传感器有效
申请号: | 201010554662.5 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102468310A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 黄维国;姚裕源 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种影像传感器。影像传感器包括一基底、一深阱层、多个第一感测单元、多个第二感测单元与多个第三感测单元。深阱层位于基底内。第一感测单元、第二感测单元与第三感测单元位于基底的一第一表面与深阱层间。深阱层分布于各第一感测单元下方的部分的面积与各第一感测单元的面积的比例为一第一面积比。深阱层分布于各第二感测单元下方的部分的面积与各第二感测单元的面积的比例为一第二面积比。深阱层分布于各第三感测单元下方的部分的面积与各第三感测单元的面积的比例为一第三面积比。第一面积比大于第二面积比与第三面积比。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感器 | ||
【主权项】:
一种影像传感器,包括:基底,具有第一表面;深阱层,位于该基底内;多个第一感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间;多个第二感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间;以及多个第三感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间,其中该深阱层分布于各该第一感测单元下方的部分的面积与各该第一感测单元的面积的比例为一第一面积比,该深阱层分布于各该第二感测单元下方的部分的面积与各该第二感测单元的面积的比例为一第二面积比,该深阱层分布于各该第三感测单元下方的部分的面积与各该第三感测单元的面积的比例为一第三面积比,该第一面积比大于该第二面积比与该第三面积比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的