[发明专利]一种镧基高介电常数薄膜的制备方法

摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种镧基高介电常数薄膜材料及其制备方法。采用原子层淀积工艺，以双氧水作为原子层淀积工艺所需的氧化反应前躯体，有效克服了以水作为氧化反应前躯体氧化能力弱而导致反应不易进行的缺陷，此方法可以制备高质量的镧基高介电常数薄膜，并且易于采用混合薄膜生长技术来优化调节薄膜特性，从而克服纯二元氧化镧薄膜在热稳定性以及易吸水性上的不足。

主权项

一种氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：将清洗后的半导体衬底装入原子层淀积反应腔；将原子层淀积反应腔加热至工艺所需温度300‑450℃；将原子层淀积反应腔升至工艺所需压强0.5‑5torr；进行多个周期的原子层淀积氧化镧薄膜工艺，形成所需厚度的氧化镧薄膜。