[发明专利]一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法

摘要

一种GaAs衬底的AlGaInP发光二极管的制备方法：在半切以前，都按正常的工艺流程制作，包括制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，半切时，将芯片正面与粘片机的蓝膜相接触，上片到切割机上，以牺牲了边缘不良品而得到的四条平边为基准线，按照不同芯片的规格尺寸做透切。通过使用背面透切的切割方式，能够减少正表面发光面积的损失，增加发光二极管的出光效率；可以减少背崩，增加发光二极管的良率；可以提高透切时的切割速度，并减少了测试不良品的时间，有效减少工作时间、提高了生产效率；还可以减少测试时对不良品的点墨，同时减少2-3次翻转所需要的费用，有效降低了成本。

主权项

一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，在进行半切之前按照正常的工艺流程进行制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，其特征在于，半切时步骤如下：(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线，透切的条件为切透蓝膜至少10um；(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为40‑80um；(4)下片以及测试；(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55℃，然后上片至接触划片的切割机上；(6)以上、下两条水平边为基准线，切入的深度值比整个芯片厚度少至少10um；(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90℃，再以左、右两条平边为基准线，完成垂直方向的全部透切。