[发明专利]芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体无效
| 申请号： | 201010565252.0 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479678A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李国延 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/458;H01L21/683 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。此外，还提供一种生成芯片薄膜的载体。上述芯片薄膜的生成方法，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致，不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 薄膜 生成 方法 载体 | ||
【主权项】：
一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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