[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括有源区，该有源区设置在衬底上，包括相互间形成结的第一导电类型的第一深阱和第二导电类型的第二深阱。栅电极在所述结上且在所述第一导电类型的第一深阱的一部分和所述第二导电类型的第二深阱的一部分上延伸。第二导电类型的源区在所述栅电极的一侧，且位于所述第一导电类型的第一深阱中，而第二导电类型的漏区在所述栅电极的另一侧，且位于所述第二导电类型的第二深阱中。第一导电类型的杂质区位于所述第一导电类型的第一深阱中，包围所述第二导电类型的源区并且朝向所述结延伸，以与所述栅电极部分交叠和/或与所述第二导电类型的源区部分交叠。

主权项

一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，其设置在衬底中或设置在衬底上，包括相互间形成结的第一导电类型的第一深阱和第二导电类型的第二深阱；栅电极，其在所述结上且在所述第一导电类型的第一深阱的一部分和所述第二导电类型的第二深阱的一部分上延伸；栅绝缘层，其置于所述栅电极与所述衬底之间；第二导电类型的源区，其在所述栅电极的一侧设置在所述第一导电类型的第一深阱中；第二导电类型的漏区，其在所述栅电极的另一侧设置在所述第二导电类型的第二深阱中；以及第一导电类型的第一杂质区，其设置在所述第一导电类型的第一深阱中，其中，所述第一导电类型的第一杂质区以形成第一交叠区的方式朝向所述结延伸，在所述第一交叠区中，所述第一导电类型的第一杂质区与所述栅电极的一部分和/或所述第二导电类型的源区的一部分交叠。