[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备有效
| 申请号： | 201010566128.6 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102081313A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 青木诚;大胁弘宪;大山一成 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/08 | 分类号： | G03G5/08;G03G15/00;G03G15/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件和包括该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件包括：导电性基体；在所述导电性基体上的光导电层；和在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅制成的表面层，其中在所述表面层中(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下，在所述表面层中Si+C原子密度为6.60×1022原子/cm3以上，和所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.029μm以上至0.500μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 照相 感光 构件 设备 | ||
【主权项】：
一种电子照相感光构件，该电子照相感光构件包括：导电性基体；在所述导电性基体上的光导电层；和在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅制成的表面层，其中在所述表面层中碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下，在所述表面层中硅原子的密度和碳原子的密度的总和为6.60×1022原子/cm3以上，和由JIS B0601：2001规定的所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.029μm以上至0.500μm以下。
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