[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010568261.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479721A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈振兴;叶彬;何有丰;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面上形成有栅极结构；在所述衬底表面形成含有开口的硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的顶部和两侧，所述开口位于栅极结构两侧；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧形成沟槽；形成填充满所述沟槽的应力层；在所述应力层表面形成保护层；去除所述硬掩膜层。相应地，本发明还提供采用上述方法形成的晶体管。通过本发明所提供的晶体管及其形成方法可以减小应力层在去除硬掩膜层的工艺中的损失，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面上形成有栅极结构；在所述衬底表面形成含有开口的硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的顶部和两侧，所述开口位于栅极结构两侧；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧形成沟槽；形成填充满所述沟槽的应力层；在所述应力层表面形成保护层；去除所述硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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