[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供具有激光蚀刻通孔的半导体装置及其制造方法。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含提供一具有一前侧及一后侧的基材，及提供一膜层于此基材的前侧上，此膜层具有与此基材不同的组成。此方法还包含控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一贯穿此膜层及此基材至少一部分前侧的开口，以导电材料填入此开口中以形成通孔，移除此基材的一部分的背端以暴露出此通孔，及透过此通孔电性连接一第一元件及一第二元件。此外，本发明亦提供由上述方法所制造的半导体装置。本发明能够提供形成高深宽比通孔。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基材，其具有一前侧及一背侧；提供一膜层于该基材的该前侧上，该膜层与该基材具有不同的组成；控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一开口，其贯穿该膜层及该基材前侧的一部分；填入导电材料至该开口中以形成一通孔；移除之该基材背侧的一部分该以暴露出该通孔；以及透过该通孔电性连接一第一元件及一第二元件。