[发明专利]晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置有效
| 申请号： | 201010569845.4 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102130177A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金善日;朴宰彻;金尚昱;朴永洙;金昌桢 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 包括 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管，所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层，覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层；第二钝化层，包含氟且位于第一钝化层上。
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