[发明专利]连接用焊盘的制造方法无效
| 申请号： | 201010570948.2 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194720A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 鞍谷直人;大野和幸;前川智史 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种连接用焊盘的制造方法，以包围要形成接合用焊盘(48)的区域的方式，在盖(44)的上表面框状地突设绝缘部(49)。接着，以覆盖绝缘部(49)的方式在盖(44)的整个上表面形成金属膜(68)。其后，利用切割机等切削覆盖绝缘部(49)的金属膜(68)，使绝缘部(49)遍及全周从金属膜(68)露出，形成独立于由绝缘部(49)包围的区域的接合用焊盘(48)。绝缘部(49)的外侧的金属膜(68)成为电磁屏蔽用的导电层(47)。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 用焊盘 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种连接用焊盘的制造方法，其特征在于，具备：第一工序，以包围要形成连接用焊盘的区域的方式在所述基材的表面突设绝缘性部件；第二工序，以覆盖所述绝缘性部件的方式在所述基材的表面形成导电层；第三工序，除去覆盖所述绝缘性部件的所述导电层，使所述绝缘性部件遍及全周从所述导电层露出，在由所述绝缘性部件包围的区域形成由所述导电层构成的连接用焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧姆龙株式会社，未经欧姆龙株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010570948.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
