[发明专利]硅片的返工处理方法

摘要

本发明实施例公开了一种硅片的返工处理方法，包括以下步骤：1、清除掉硅片上的SiNx薄膜；2、采用平板式PECVD装置对硅片重新进行SiNx薄膜沉淀；3、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结，然后进行电性能测试。本发明实施例提供的硅片的返工处理方法中，将不合格的硅片上的SiNx薄膜清除掉，采用平板式PECVD装置对硅片重新进行薄膜沉淀，由于采用平板式PECVD装置进行薄膜沉淀时，NH3产生的等离子体不会直接与硅片接触，在对洗掉SiNx的不合格片进行PECVD时可以保护硅片表面不受到等离子体的二次轰击，减少了对硅片表面的伤害，提高了硅片表面的质量，提高了硅片的质量。

主权项

一种硅片的返工处理方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、清除掉所述硅片上的SiNx薄膜；2)、采用平板式PECVD装置对所述硅片重新进行SiNx薄膜沉淀；3)、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结，然后进行电性能测试。