[发明专利]一种芯片的散热结构无效
| 申请号： | 201010571866.X | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102064146A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄欣;张天威;黄芊芊;秦石强;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片的散热结构，属于微电子学领域。该散热结构包括在芯片的上表面通过氧化隔离形成的P型和N型超晶格层，P型超晶格和N型超晶格之间通过二氧化硅隔离，P型超晶格通过接触孔与芯片接低电位的金属层电学相连，同时P型超晶格上方形成金属层连接外接电源；N型超晶格通过接触孔与芯片接高电位电源的金属层电学相连，同时N型超晶格上方形成金属层连接外接电源，P型超晶格连接的外接电源电位要低于N型超晶格连接的外接电源。本发明利用超晶格具有低热导率和类似声子局域化行为的特点，能够对芯片散热的同时抑制周围环境热量向芯片的传递。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 散热 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片的散热结构，其特征在于，在芯片的上表面通过氧化隔离形成P型和N型超晶格层，P型超晶格和N型超晶格之间通过二氧化硅隔离，P型超晶格通过接触孔与芯片接低电位的金属层电学相连，同时P型超晶格上方形成金属层连接外接电源；N型超晶格通过接触孔与芯片接高电位电源的金属层电学相连，同时N型超晶格上方形成金属层连接外接电源，P型超晶格连接的外接电源电位要低于N型超晶格连接的外接电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010571866.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
