[发明专利]一种曝光方法有效
| 申请号： | 201010574406.2 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102486616A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 段天利;张三强;平梁良;李晓波 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/207 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种曝光方法，该方法首先判断曝光区域的中心是否在晶片上，当所述曝光区域的中心不在晶片上时，对该曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；当所述曝光区域的中心在晶片上时，进一步判断该曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围内时，对该曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围之外时，对该曝光区域采用自动聚焦形式进行曝光。通过本发明所提供的曝光方法，能够有效地减少或避免曝光工艺中边缘聚焦现象的发生，降低返工率，从而有利于提高半导体器件的设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，其特征在于，包括：步骤A：判断曝光区域的中心是否在晶片上，如果是，则执行步骤B；如果否，则执行步骤C；步骤B：判断曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，如果是，则执行步骤C；如果否，则执行步骤D；步骤C：对所述曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；步骤D：对所述曝光区域采用自动聚焦形式进行曝光。
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