[发明专利]三维集成电路结构有效
| 申请号： | 201010575666.1 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347316A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 罗明健;吴国雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有改进的电源与热管理的三维(3D)集成电路(IC)结构。此三维IC结构包含至少一第一与第二晶粒。第一与第二晶粒中的每一晶粒均具有至少一电源穿透硅介层窗(TSV)与一信号TSV。第一晶粒的电源TSV与信号TSV分别连接至第二晶粒的电源TSV与信号TSV。而第一外围TSV结构则邻近地设置在第一晶粒及/或第二晶粒的一个或多个侧边。三维IC结构亦包含一个或多个外围TSV结构，其中外围TSV结构邻近地设置在第一及/或第二晶粒的一个或多个侧边。外围TSV结构至少提供电源及/或信号。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路结构，其特征在于，包含：至少一第一晶粒与一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒均具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，该第一晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗分别连接至该第二晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗；一或多个第一外围穿透硅介层窗结构，邻近地设置在该第一晶粒及/或该第二晶粒的一或多个侧边，其中该或该些第一外围穿透硅介层窗结构是设置以环绕该第一晶粒及/或该第二晶粒；以及一中介层，设置在该第一晶粒与该第二晶粒之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010575666.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
