[发明专利]在磷化铟衬底上制备T型栅的方法无效
| 申请号： | 201010577818.1 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102569046A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;郭天义;张海英;杨浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括：A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷（HMDS）蒸发在清洗后的外延片上；B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，前烘；C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，前烘；D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，前烘；E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；H、对显影后的外延片进行腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。采用本发明可以制作出120nm的栅线条。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于，包括步骤如下：A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后的外延片上；B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，然后前烘；C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，然后前烘；E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；H、对上述显影后的外延片进行腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，即形成晶体管T型纳米栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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