[发明专利]光电元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010582456.5 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102544287A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭得山;柯淙凯 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一基板，具有一表面，并具有一与表面垂直的法线方向；多个第一晶种柱，位于基板的表面上并与表面接触，并裸露出部分基板的表面；一第一保护层，位于第一晶种柱的侧壁及基板的裸露表面之上；一第一缓冲层，位于多个第一晶种柱之上，其中第一缓冲层具有一第一表面及一与第一表面相对的第二表面，且第一表面与多个第一晶种柱直接接触；及至少一第一孔洞结构，位于多个第一晶种柱、基板的表面及第一缓冲层的第一表面之间，其中，至少一第一孔洞结构具有一宽度与一高度，其中宽度为第一孔洞结构于平行表面方向的最大尺寸，高度为第一孔洞结构于平行法线方向的最大尺寸，其中高度与宽度的比值介于1/5～3。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电元件，包含：基板，具有一表面，并具有一与该表面垂直的法线方向；多个第一晶种柱，位于该基板的该表面上并与该表面接触，并裸露出部分该基板的该表面；第一保护层，位于该第一晶种柱的侧壁及该基板的该裸露表面之上；第一缓冲层，位于该多个第一晶种柱之上，其中该第一缓冲层具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面，且该第一表面与该多个第一晶种柱直接接触；及至少一第一孔洞结构，位于该多个第一晶种柱、该基板的该表面及该第一缓冲层的第一表面之间，其中，该至少一第一孔洞结构具有一宽度与一高度，其中该宽度为该第一孔洞结构于平行该表面方向的最大尺寸，该高度为该第一孔洞结构于平行该法线方向的最大尺寸，其中该高度与宽度的比值介于1/5～3。
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