[发明专利]一种Ag2X薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010582546.4 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN102080263A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 蔡克峰;汪元元;姚熹 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B7/14
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 吴林松
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于材料化学技术领域,涉及一种Ag2X薄膜的制备方法,其中X为硒或碲。首先将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中,再加入碱和络合剂,搅拌使其充分溶解,然后加入还原剂,充分溶解后停止搅拌,放入基片用于沉积Ag2X薄膜;恒温反应结束后用去离子水和无水乙醇冲洗薄膜;最后将薄膜干燥。本发明反应条件温和,在水溶液中一步合成Ag2Se或Ag2Te薄膜,制备的薄膜平整、致密、均匀。所用的原料便宜易得,工艺简单,容易实现规模化生产,且反应过程中避免使用大量有机溶剂,有利于环保,具有广阔的市场前景。合成的硒化银和碲化银薄膜可广泛应用于快离子导体,非线性光学器件、光电二次电池等多个领域,市场前景广阔。
搜索关键词: 一种 ag sub 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种Ag2X薄膜的制备方法,其中X为硒或碲,其特征在于:包括步骤:(1)配料:将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中,再加入碱和络合剂,搅拌使其充分溶解,然后加入还原剂,充分溶解后停止搅拌,放入基片用于沉积Ag2X薄膜;(2)恒温反应;(3)洗涤;(4)干燥。
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