[发明专利]使用驱动电路的等离子体显示装置无效
申请号: | 201010583454.8 | 申请日: | 2010-12-03 |
公开(公告)号: | CN102087828A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 村川真一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G09G3/28 | 分类号: | G09G3/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 使用驱动电路的等离子体显示装置,驱动电路包括:与第一电压相连接的第一和第二P沟道MOS晶体管;第一N沟道MOS晶体管,连接在第一P沟道MOS晶体管和接地电压之间,具有与第一节点连接的栅极且接收第一输入信号;和第二N沟道MOS晶体管,连接在第二P沟道MOS晶体管和接地电压之间且具有与第二节点连接的栅极并接收第二输入信号。输出P沟道MOS晶体管被连接在第一电压和输出节点之间且具有与第二节点连接的栅极,且输出N沟道MOS晶体管被连接在输出节点和第二电压之间且具有被提供有极性与第一输入信号的极性相同的输入信号的栅极。P沟道MOS晶体管具有与第一节点连接的源极、与输出节点连接的漏极和与第二节点连接的栅极。 | ||
搜索关键词: | 使用 驱动 电路 等离子体 显示装置 | ||
【主权项】:
一种驱动电路,包括:第一和第二P沟道MOS晶体管,所述第一和第二P沟道MOS晶体管与第一电压相连接;第一N沟道MOS晶体管,所述第一N沟道MOS晶体管被连接在所述第一P沟道MOS晶体管和低于第一电压的第二电压之间,并且具有被构造为接收第一输入信号的栅极,其中所述第二P沟道MOS晶体管的栅极与所述第一P沟道MOS晶体管和所述第一N沟道MOS晶体管之间的第一节点相连接;第二N沟道MOS晶体管,所述第二N沟道MOS晶体管被连接在所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二电压之间,并且具有被构造为接收第二输入信号的栅极,其中所述第一P沟道MOS晶体管的栅极与所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二N沟道MOS晶体管之间的第二节点相连接;输出P沟道MOS晶体管,所述输出P沟道MOS晶体管被连接在所述第一电压和输出节点之间,并且具有与所述第二节点相连接的栅极;输出N沟道MOS晶体管,所述输出N沟道MOS晶体管被连接在所述输出节点和所述第二电压之间,并且具有被提供有极性与第一输入信号的极性相同的输入信号的栅极;以及P沟道MOS晶体管,所述P沟道MOS晶体管具有与所述第一节点相连接的源极、与所述输出节点相连接的漏极、以及与所述第二节点相连接的栅极。
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