[发明专利]薄膜电阻器无效
| 申请号： | 201010587127.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102129965A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | S·J·高尔;M·D·丘奇 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/334;H01L29/86 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于半导体设备的方法和结构，其提供例如互连层以用于金属层的蚀刻，其中所述互连层不会对如薄膜电阻器(TFR)层等较薄的层例如电路电阻器产生影响。在一个实施例中，在对金属层的蚀刻过程中，通过图案化保护层来保护TFR电阻器层，并且为所述金属层提供底层。在另一实施例中，在提供图案化金属层之后形成TFR层。所述金属层可提供例如用于电路电阻器的端盖。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 | ||
【主权项】：
一种形成半导体设备的方法，其包含：在半导体基板上形成导电薄膜电阻器(TFR)层；在所述TFR层上于多个第一位置处形成图案化保护层，其中所述图案化保护层不形成于多个第二位置处；在所述TFR层上和所述图案化保护层上形成覆盖导电层；以及在所述多个第一位置处和所述多个第二位置处蚀刻所述覆盖导电层以形成图案化导电层，其中所述TFR层向所述蚀刻后的导电层提供底层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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