[发明专利]层压电子器件有效
| 申请号： | 201010587340.0 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102142401A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | H.埃韦;J.马勒;A.普吕克尔;S.兰道 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/12;H01L23/492;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及层压电子器件。公开了一种制造层压电子器件的方法。一个实施例提供了载体，该载体限定了第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。该载体具有形成在第一主表面中的凹陷图案。第一半导体芯片被附接到第一和第二主表面中的一个上。形成有第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖载体的其上附接第一半导体芯片的主表面以及第一半导体芯片。然后，将载体沿凹陷图案分成多个部分。 | ||
| 搜索关键词： | 层压 电子器件 | ||
【主权项】：
一种制造层压电子器件的方法，包括：提供载体，所述载体限定第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述载体具有形成在所述第一主表面中的凹陷图案；将第一半导体芯片附接在所述第一主表面和所述第二主表面中的一个上；形成第一电绝缘层，所述第一电绝缘层覆盖所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面以及所述第一半导体芯片；以及然后，沿所述凹陷图案将所述载体分隔成多个部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010587340.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微球形多孔可生物相容支架及制造该支架的方法和装置
- 下一篇：打印机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
