[发明专利]发光器件无效
| 申请号： | 201010587621.6 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097424A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 姜大成;郑明训;丁圣勋 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/08;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件、发光器件封装、以及发光器件的制造方法。发光器件包括：第一发光结构；第一发光结构上的绝缘层，该绝缘层不具有导电性，在该绝缘层中电流不流动；绝缘层上的第二发光结构；以及公共电极，该公共电极被同时并且电气地连接到第一发光结构和第二发光结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底；所述衬底上的第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及所述第一有源层上的第二导电类型半导体层；所述第一发光结构上的绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第二导电类型半导体层上；所述绝缘层上的第二发光结构，所述第二发光结构包括所述绝缘层上的第三导电类型半导体层、所述第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及所述第二有源层上的第四导电类型半导体层；以及公共电极，所述公共电极被共同地并且电气地连接到所述第二导电类型半导体层和所述第三导电类型半导体层。
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