[发明专利]一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法无效

专利信息
申请号: 201010589077.9 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102534272A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 李庆新 申请(专利权)人: 李庆新
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C19/07
代理公司: 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 21100 代理人: 侯景明
地址: 110136 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及涉及一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法,它是用热力学稳定的高纯钨坩埚,在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金。本发明能够避免熔炼过程中坩埚材料与合金中活性元素发生反应,降低合金含氧量、提高熔炼合金纯净度的高真空熔炼钴基钼镁合金的工艺。本发明的高真空熔炼技术,相对于电子束、等离子熔炼,高真空自耗等高真空冶金技术,设备成本低,操作方便,工艺简单,大大降低了合金的制造成本,使得钴基钼镁类合金的实际应用成为现实。
搜索关键词: 一种 真空 熔炼 钴基钼 镁合金 加工 方法
【主权项】:
一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法,其特征是用热力学稳定的高纯钨坩埚,在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金,具体过程为:1)合金材料:按合金要求的原子比取工业纯钴,高纯钼粉,镁;2) 装炉:钼粉装入坩埚底部,纯钴基装入钼粉上面,将镁装入料斗,熔炼过程中后期加入;3)熔炼前:首先将炉体抽高真空,当炉内的高真空度低于0.01Pa时,炉内充氩气,加压力至0.08~0.12MPa之间;4)合金熔化:送电,熔化钼粉和纯钴基,全部熔化后,翻转料斗,加入镁合金;5)合金的浇注:将所述合金原料全部熔化后,精炼净置,待温度达到2050~2150℃之间时,浇注合金液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李庆新,未经李庆新许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010589077.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top