[发明专利]一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法无效
申请号: | 201010589077.9 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102534272A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李庆新 | 申请(专利权)人: | 李庆新 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C19/07 |
代理公司: | 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 21100 | 代理人: | 侯景明 |
地址: | 110136 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及涉及一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法,它是用热力学稳定的高纯钨坩埚,在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金。本发明能够避免熔炼过程中坩埚材料与合金中活性元素发生反应,降低合金含氧量、提高熔炼合金纯净度的高真空熔炼钴基钼镁合金的工艺。本发明的高真空熔炼技术,相对于电子束、等离子熔炼,高真空自耗等高真空冶金技术,设备成本低,操作方便,工艺简单,大大降低了合金的制造成本,使得钴基钼镁类合金的实际应用成为现实。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 熔炼 钴基钼 镁合金 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法,其特征是用热力学稳定的高纯钨坩埚,在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金,具体过程为:1)合金材料:按合金要求的原子比取工业纯钴,高纯钼粉,镁;2) 装炉:钼粉装入坩埚底部,纯钴基装入钼粉上面,将镁装入料斗,熔炼过程中后期加入;3)熔炼前:首先将炉体抽高真空,当炉内的高真空度低于0.01Pa时,炉内充氩气,加压力至0.08~0.12MPa之间;4)合金熔化:送电,熔化钼粉和纯钴基,全部熔化后,翻转料斗,加入镁合金;5)合金的浇注:将所述合金原料全部熔化后,精炼净置,待温度达到2050~2150℃之间时,浇注合金液。
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